Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830STRLPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830STRLPBF Hakkında
IRF830STRLPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 4.5A sürekli drain akımı desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) paket tipi ile yüzey montajı uygulamalarında tercih edilir. 1.5Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük ısıl direnc sağlar. Gate charge değeri 38nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok