Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF830

IRF830STRL Hakkında

IRF830STRL, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle yüksek voltaj güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverterlerde yer almaktadır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlamakta, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunan bir bileşendir. UYARI: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, yerini daha yeni bileşenler almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok