Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830SPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830SPBF Hakkında
IRF830SPBF, Vishay tarafından üretilen N-kanallı power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263 D²PAK paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. 1.5Ω maksimum on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 74W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok