Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830S
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830S Hakkında
IRF830S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate kapasitesi 610pF ve gate şarjı 38nC'dir. Maksimum 3.1W (Ta) ve 74W (Tc) güç dağıtabilir. 10V gate sürücü gerilimi ile optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok