Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830LPBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830LPBF Hakkında
IRF830LPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 500V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel denetim devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. TO-262-3 paket tipi montaj kolaylığı ve etkin ısı yönetimi sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 38nC gate charge ve 610pF input capacitance özellikleri ile hızlı geçiş süreleri gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok