Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830L
MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830L
IRF830L Hakkında
IRF830L, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş bir çalışma alanına sahiptir. Maksimum 1.5Ω on-state direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF830L, endüstriyel kontrolcüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 38nC gate charge ve düşük giriş kapasitansı hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok