Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF830BPBF

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF830B

IRF830BPBF Hakkında

IRF830BPBF, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 5.3A drain akımı ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, boost konvertörler, AC-DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 104W güç tüketebilen IRF830BPBF, endüstriyel ve ticari uygulamalar için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok