Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830B Hakkında
IRF830B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.5Ohm maksimum RDS(on) değeriyle anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji dağıtım sistemlerinde sıklıkla yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 73W maksimum güç tüketimini yönetebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok