Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830ASPBF
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830ASPBF Hakkında
IRF830ASPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürücüler, switch mode güç kaynakları (SMPS), inverter devreleri ve indüktif yüklerin anahtarlanmasında çalışabilir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilmesine olanak tanır. 1.4Ω RDS(on) değeri ile enerji verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok