Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF830ALPBF

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRF830

IRF830ALPBF Hakkında

IRF830ALPBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde gelen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve elektriksel yüklerin kontrolünde yer alır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok