Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8308MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF8308

IRF8308MTR1PBF Hakkında

IRF8308MTR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paket türü ile yüksek yoğunluklu montaj ve iyileştirilmiş ısı dağıtımı sağlar. 2.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimumda tutar. Vgs(th) 2.35V ile hızlı ve güvenilir kontrol sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponentin maksimum 89W güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama düzenekleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüdedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4404 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok