Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8306MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF8306

IRF8306MTRPBF Hakkında

IRF8306MTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric MX paketinde sunulan bu bileşen, integrated Schottky diode içerir. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 38nC gate charge karakteristiği ile düşük kayıp ve hızlı anahtarlama işlemi sağlar. Motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve portable cihaz uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, yüksek yoğunluk montajı gerektiren kompakt tasarımlar için uygundur. Dikkat: Bu ürün artık üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 140A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4110 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok