Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8306MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF8306

IRF8306MTR1PBF Hakkında

IRF8306MTR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ile 23A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric MX paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. Düşük 2.5mΩ on-direnç değeri (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Entegre Schottky diod (body diode) özelliğine sahiptir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 38nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. Maksimum 75W (Tc) güç dağıtım kapasitesi mevcuttur. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 140A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4110 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok