Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF830
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF830
IRF830 Hakkında
IRF830, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverter uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği ve ısıl tasarımı destekler. 100W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve 30nC gate charge ile kontrol devrelerinin tasarımı kolaylaştırılmıştır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok