Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8252PBF
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8252
IRF8252PBF Hakkında
IRF8252PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 2.7mΩ (10V, 25A koşullarında) düşük on-resistance değerine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 2.5W güç tüketimi ile verimli komutasyon sağlar. Gate charge değeri 53nC (4.5V) olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen artık üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5305 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok