Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF822
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF822
IRF822 Hakkında
IRF822, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4Ω maksimum on-direnci (10V gate voltajında 1.4A akımda) ile verimli anahtarlama sağlar. Maksimum 50W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor denetim sistemleri ve benzer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan IRF822, 19nC kapı yükü ve 360pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok