Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820STRRPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF820

IRF820STRRPBF Hakkında

IRF820STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 10V sürüş geriliminde 3Ohm maksimum Rds(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan ve 50W maksimum güç tüketebilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 24nC kapı yükü ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok