Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820STRL

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF820

IRF820STRL Hakkında

IRF820STRL, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilim ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. 3Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, indüktif yükler, güç kaynakları, motor kontrolü ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 24nC kapı yükü ve 360pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok