Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF820PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF820
IRF820PBF-BE3 Hakkında
IRF820PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipiyle delikli montaj için uygundur. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürücü voltajıyla çalışır ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok