Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820PBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF820

IRF820PBF Hakkında

IRF820PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, LED sürücülerinde ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 3Ohm maksimum on-direnci ve düşük gate charge değeri ile verimli komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 50W maksimum güç dağılımı toleransı vardır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok