Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF820L
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF820L
IRF820L Hakkında
IRF820L, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 2.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alabilir. Gate charge 24nC ve input capacitance 360pF olup, hızlı anahtarlama gerekli olan güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok