Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820AS

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF820

IRF820AS Hakkında

IRF820AS, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 25°C'de 2.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 3Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 17nC gate yükü ve 340pF giriş kapasitesi hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlamalı DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 50W güç tüketebilir. Halihazırda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok