Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820APBF-BE3

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF820A

IRF820APBF-BE3 Hakkında

IRF820APBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 2.5A sürekli drain akımı ile güç elektrik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 3Ω on-state direnci ve 50W maksimum güç dağılımı özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 17nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok