Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF820AL
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF820A
IRF820AL Hakkında
IRF820AL, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve 17nC gate charge değerine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı regülatörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklı performans sunar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok