Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF820
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF820
IRF820 Hakkında
IRF820, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 500V drain-source voltaj (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, maksimum 2.5A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüşü ile 3Ohm maksimum on-resistance (Rds On) değerine sahip olup, -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 50W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün artık üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok