Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF820

MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF820

IRF820 Hakkında

IRF820, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 80W maksimum güç dağılımı kapabilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Lütfen dikkat: Bu ürün artık üretilmiyor (Obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok