Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF8113TRPBF

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8113

IRF8113TRPBF Hakkında

IRF8113TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 17.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5.6mOhm RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 36nC gate charge ve 2910pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2910 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok