Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8113PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8113
IRF8113PBF Hakkında
IRF8113PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 17.2A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 5.6mΩ @ 10V) nedeniyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montajlı paket ile sağlanan transistör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç kaynağı ve inverter gibi enerji yönetim devrelerinde tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bileşen, endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok