Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8113
IRF8113GPBF Hakkında
IRF8113GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 17.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate şarjı (36 nC @ 4.5V) ve minimum 5.6mΩ Ron (@ 17.2A, 10V) ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan IRF8113GPBF, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok