Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8113
IRF8113GPBF Hakkında
IRF8113GPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 17.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliktedir. Surface mount 8-SO paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dağıtımı ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Üretim sonlandırıldığından yedek parça ve arşiv projelerinde bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2910 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok