Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF8010
IRF8010PBF Hakkında
IRF8010PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket tipi sayesinde yüksek güç uygulamalarında montaj kolaylığı sunar. Sürücü devreler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok