Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7855PBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7855
IRF7855PBF Hakkında
IRF7855PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde uygulanır. ±20V maksimum gate voltajı ve 4.9V eşik voltajıyla hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok