Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7853TRPBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7853

IRF7853TRPBF Hakkında

IRF7853TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj, 8.3A sürekli drain akımı ve 18mOhm on-state direnç (Rds(on)) özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 2.5W maksimum güç tüketimli tasarımı, düşük kaynağa bağlı sistemlerde verimliliği artırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok