Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7853PBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7853

IRF7853PBF Hakkında

IRF7853PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok