Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7842PBF

MOSFET N-CH 40V 18A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7842

IRF7842PBF Hakkında

IRF7842PBF, N-channel MOSFET teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ve 18A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 5mOhm maksimum RDS(on) direnci sunarak düşük konaksiyon kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paket türünde üretilen bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanım için uygundur. 50nC gate charge ve 4500pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı gerektirir. Bileşen Digi-Key tarafından üretimden kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok