Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7834PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7834

IRF7834PBF Hakkında

IRF7834PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistörüdür. Sürekli drenaj akımı kapasitesi 19A ile şekillendirilen bu komponentin Rds(on) değeri 4.5mΩ (10V, 19A'da) olup düşük direnç uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketi ile tasarlanan transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 2.5W maksimum güç dağılımında çalışabilir. Gate Charge değeri 44nC (4.5V'da) ile hızlı komütasyon özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok