Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7834

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7834

IRF7834 Hakkında

IRF7834, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5mΩ (10V, 19A koşullarında) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı azalır. Gate eşik gerilimi 2.25V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimi tolere edebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. 44nC gate charge ve 3710pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3710 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok