Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7832PBF

MOSFET N-CH 30V 20A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7832

IRF7832PBF Hakkında

IRF7832PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +155°C arasında çalışır. Surface Mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 51nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Ürün Infineon'un MOS teknolojisi ile üretilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.32V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok