Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7832PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7832
IRF7832PBF Hakkında
IRF7832PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç yönetim uygulamalarında yer alır. -55°C ile 155°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok