Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7831PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7831

IRF7831PBF Hakkında

IRF7831PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.6mOhm (10V, 20A) düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-SO yüzey montajlı paket formatında sunulmaktadır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Enerji dönüştürme, DC-DC konvertör, motor kontrol ve güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6240 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok