Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7822PBF

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7822

IRF7822PBF Hakkında

IRF7822PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 6.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama ve verimli güç dağıtımı gerektiren devrelere uygundur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok