Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7821TR

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7821

IRF7821TR Hakkında

IRF7821TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup 30V drain-source gerilimi ve 13.6A maksimum sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SO Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 9.1mΩ on-direnci değerine sahiptir. -55°C ile +155°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve düşük gerilim güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Düşük gate charge değeri (14nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Not: Bu ürün yaşaması sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok