Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7821PBF

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7821

IRF7821PBF Hakkında

IRF7821PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 13.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve LED sürücü devrelerinde kullanılır. 9.1mΩ on-state direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +155°C arasında çalışabilir. Maksimum 14nC gate yükü hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Lütfen dikkat: bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok