Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7821PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7821
IRF7821PBF Hakkında
IRF7821PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecelendirilmiş, 13.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (9.1mΩ @ 13A, 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +155°C arası çalışma sıcaklığına dayanır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5W maksimum güç kaybı ve 14nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok