Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7820PBF

MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7820

IRF7820PBF Hakkında

IRF7820PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 3.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 78mOhm maksimum on-resistance (Rds(on)) ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate charge değeri 44nC ve input capacitance 1750pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 2.5W maksimum güç yayımlaması ile kompakt uygulamalar için uygundur. Bileşen Digi-Key'de üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok