Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7815PBF

MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7815

IRF7815PBF Hakkında

IRF7815PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 5.1A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 43mOhm maksimum on-state direnci 10V gate geriliminde elde edilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Surface mount 8-SO paketinde sunulan IRF7815PBF, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (38nC) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri gösterir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Ürün Digi-Key'de üretimi durdurulmuş durumda olup, alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1647 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok