Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7811
IRF7811WGTRPBF Hakkında
IRF7811WGTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-direnci (12mOhm @ 15A, 4.5V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketi ile tasarlanan IRF7811WGTRPBF, güç anahtarlama, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, 4.5V gate sürüş gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Maksimum 3.1W güç kaybı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2335 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok