Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7811AVPBF

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7811

IRF7811AVPBF Hakkında

IRF7811AVPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük Rds On değeri (14mOhm @ 15A, 4.5V) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-SO yüzey montajlı paket ile tasarlanmış olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu transistör, 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Kapat/aç hızı ve etkili kontrol için 4.5V gate sürücü gerilimi ile optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1801 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok