Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7811ATRPBF

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7811A

IRF7811ATRPBF Hakkında

IRF7811ATRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 28V drain-source gerilimi (Vdss) ile 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve güç dağıtım ağlarında kullanılır. ±12V gate-source gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık koşullarında faaliyet gösterir. 2.5W maksimum güç tüketimi ile verimli tasarımlar için uygun bir seçenektir. Lütfen dikkat: Bu ürün obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok