Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7811APBF

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7811

IRF7811APBF Hakkında

IRF7811APBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 28V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10mΩ @ 11A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC konverterler ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Bileşen Obsolete (üretim dışı) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok